三星宣布启动首批第九代V-NAND闪存量产

来源:环球网

【环球网科技综合报道】4 月 23 日消息,三星半导体今日宣布,其第九代1Tb TLC V-NAND闪存已开始量产。

三星电子闪存产品与技术主管SungHoi Hur表示:“我们很高兴推出三星首款第九代V-NAND产品,这将为未来应用的飞速发展提供新的可能性。为了满足持续演进的NAND闪存解决方案需求,三星在新型闪存的单元架构和操作方案上实现了重大突破。”

据悉,第九代V-NAND闪存凭借其超小的单元尺寸和极致的叠层厚度,实现了比上一代产品高约50%的位密度。新技术的运用,如单元干扰避免和单元寿命延长,不仅提升了产品的质量和可靠性,而且通过消除虚通道孔显著减少了存储单元的平面面积。

此外,三星展现了其在制造工艺上的卓越能力,通过采用先进的“通道孔蚀刻”技术,该技术能够在双层结构中同时钻孔,达到业界最高的单元层数,从而最大限度地提高了生产效率。随着闪存单元层数的增加,对更复杂蚀刻技术的需求也日益凸显。

值得一提的是,第九代V-NAND还配备了新一代的NAND闪存接口“Toggle 5.1”,使数据传速速度提升了33%,最高可达到每秒3.2Gbps。同时,三星还计划通过增强对PCIe 5.0的支持来进一步巩固在高性能固态硬盘市场的地位。

与上一代相比,第九代V-NAND还在低功耗设计上取得了显著进步,功耗降低了10%,这一改进使得新型闪存成为未来低能耗应用的理想选择。

目前,三星已经开始了第九代1Tb TLC V-NAND的量产,并计划在今年下半年推出四层单元(QLC)的第九代V-NAND产品。

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